三星电子最近调整了今年的DRAM投资计划。

据报道，该公司位于韩国平泽市的P2工厂第一季度的12英寸晶圆产量从30,000 /月增加至40,000 /月，并且年度DRAM产量将从约60,000增至70,000。

韩国媒体指出，三星第一季度的产量约为其年度计划的60％。

该公司将大部分投资集中在第一季度，这意味着它将加速产能扩张。

三星于2019年底大规模使用1x-nm工艺和EUV技术生产了100万个DRAM。

然后在去年年初，三星电子首次宣布将使用ArF-i技术和EUV技术开发1z-nmDRAM。

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如今，三星已将EUV技术应用于批量生产的1z-nmDRAM。

目前，三星已经使用1z纳米工艺对8GBDDR4、12GBLPDDR5和16GBLPDDR5的EUV技术进行了升级。

三星的Galaxy S215G系列手机已使用12GBLPDDR5和16GBLPDDR5DRAM，其中S21，S21 +和S21Ultra三款手机将于2021年1月发布。

三星GalaxyS21Ultra在RAM中使用12GBLPDDR5芯片，而S21和S21 + mobile手机在RAM组件中使用16GBLPDDR5芯片。

三星1z纳米工艺的生产效率比以前的1y纳米工艺高出15％以上。

D / R（DesignRule）从1y-nm工艺的17.1nm减小到1z-nm工艺的15.7nm，核心尺寸也从53.53mm2减小到43.98mm2，减小了约18％比以前。

三星电子已经在12GBLPDDR5芯片上​​集成了其最先进的1z-nm工艺和EUV光刻技术，而同样基于1z-nm工艺的16GBLPDDR5芯片则使用了非EV光刻技术。

同时，三星电子也在考虑扩大对NAND闪存的投资。

最近，发布了2021年西安市市级重点建设项目计划，其中包括三星（中国）半导体有限公司12英寸闪存芯片第二阶段的第二阶段。

此外，三星还计划扩大其晶圆代工厂的生产能力。

据报道，该公司决定将平泽P2工厂的5纳米生产线的规模从现有的28,000个增加到43,000个。

值得一提的是，三星将原计划用于DRAM制造的EUV光刻机改为OEM使用，以满足5nm OEM迅速增长的需求。

电子发烧友对本文进行了全面报道，其内容来自三星电子和TechInsights。

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