在以下内容中，编辑器将报告如何选择晶体管以及如何正确使用晶体管。

如果晶体管是您想了解的重点之一，则不妨与编辑器一起阅读本文。

1.三极管的基本介绍三极管是基本的半导体组件之一。

它具有电流放大功能，是电子电路的核心组件。

三极管由在半导体衬底上彼此非常靠近的两个PN结组成。

两个PN结将整个半导体分为三部分。

中间部分是基极区域，两侧是发射极区域和集电极区域。

排列是PNP和NPN两种。

该晶体管具有电流放大的功能，其本质在于该晶体管可以控制集电极电流的大变化，而基极电流的变化小。

这是三极管的最基本和最重要的特征。

我们将ΔIc/ΔIb之比称为晶体管的电流放大系数，其由符号“β”表示。

对于某个三极管，电流放大系数是一个固定值，但是当三极管工作时，它也会随着基极电流的变化而变化。

2.如何选择三极管阅读完三极管的基本介绍之后，我们来看看如何选择合适的三极管。

应根据电路的实际需要选择三极管的类型，即，三极管在电路中的作用应与所选三极管的功能一致。

晶体管的类型很多，分类方法也不同。

通常，根据半导体的导电性将它们分为两类：NPN型和PNP型； NPN型和PNP型。

根据它们在电路中的作用，它们分为放大管和开关管。

电路中各种晶体管的功能如下：低频低功率晶体管通常工作在小信号状态，主要用于各种电子设备的低频放大，输出功率小于1W的功率放大器;高频低功率晶体管主要用于工作频率功率大于3MHZ且功率小于1W的高频振荡放大电路。

低频大功率晶体管主要用于特征频率Fr低于3MHz，功率大于1W的低频功率放大器电路中，还可以用于大电流输出稳定电源的调整。

高速大功率开关电路；高频大功率晶体管主要用于特征频率Fr大于3MHz，功率小于1W的高频振荡放大电路中。

低频大功率晶体管主要用于特征频率Fr在3MHz以下且功率大于1W的低频功率放大器电路中，也可用作大电流输出稳压电源中的稳压器，有时它也用于低速大功率开关电路中。

高频大功率晶体管主要用于以下特性：在频率Fr大于3MHz，功率大于1W的电路中，它可以用于功率驱动和放大，也可以用于低频功率放大或开关稳压器电路。

三，三极管的正确使用在了解了三极管的基本内容和三极管的选择之后，我们终于来看看如何正确使用三极管。

在这里，我们将介绍如何使用NPN型晶体管和PNP型晶体管。

（1）NPN型三极管，适用于发射极连接至GND且集电极连接至VCC负载的情况。

只要基极电压比发射极电压（此处为GND）高0.7V，即发射极结点正向偏置（VBE为正），NPN晶体管就可以开始导通。

基极由高电平驱动，以驱动NPN晶体管导通（低电平不导通）。

除了限流电阻外，还可以更好地将基极设计为将下拉电阻10-20k连接至GND。

优点是：①使基极当极点控制电平由高变低时，基极可以更快地下拉，NPN晶体管可以更快，更可靠地截止。

②刚上电时，底座处于一定的低电平。

（2）PNP型晶体管，适用于发射极连接至VCC集电极且负载连接至GND的情况。

只要基极电压低于发射极电压（此处为VCC）0.7V，即发射极结点被反向偏置（VBE为负），PNP晶体管就可以开始导通。

基极由低电平驱动以导通PNP晶体管（高电平不导通）。

另外