联系我们大型铝电解电容小微型铝电解电容贴片铝电解电容器聚合物铝电解电容器

品质诚信服务

当前位置:首页 >> 产品和行业资讯 >> 新觉能:半导体产能短缺将持续到2021年,SiC将迎来爆发的机会

新觉能:半导体产能短缺将持续到2021年,SiC将迎来爆发的机会

2020年的半导体行业已经经历了全球流行病以及国际形势的复杂性和不确定性,并且该行业将在2021年如何发展,广东新军能半导体有限公司(以下简称“新军能”)给出了答案。

容量短缺将持续到2021年。

CoreEnergy认为,由于新能源汽车的迅猛发展和绿色能源行业的迅猛发展,再加上数据中心的迅猛发展,对功率半导体的整体需求进一步迅速增长,为整个功率半导体行业带来发展机遇。

中国大陆的功率半导体肯定会发展得更好,并会占有更大的市场份额。

Xinjuneng是一家高科技技术企业,致力于为新能源汽车和一般工业产品设计功率芯片,以及开发和制造功率模块。

它专注于IGBT / SiC电源模块和功率器件的研发,设计,封装,测试和营销,为客户提供完整的解决方案。

面对2020年整个集成电路晶圆制造能力的短缺,新军能表示,这种情况可能会持续到2021年,这与某些产品的产能趋紧以及下游的恐慌库存有一定关系。

此外,由于晶圆厂生产能力的短缺,许多小型设计公司需要预付全部产能以保留产能,这也加剧了小型设计公司的资金短缺。

此外,晶圆厂的生产能力更倾向于大公司。

2021年肯定会更加困难。

SiC将迎来爆炸的机会。

随着我国新能源汽车政策越来越优惠,市场将越来越开放,这有利于整个汽车功率半导体的发展。

自特斯拉将SiCMOSFET引入主驱动器并迅速进行批量生产以来,国内新能源汽车也开始跟进,并已被市场广泛接受。

由于这个原因,“杀手级应用程序”被称为“杀手级应用”。

SiC器件的诞生并被确认为一种新能源汽车。

作为重要的第三代半导体材料,SiC在过去两年中发展迅速。

首先,SiC衬底的供应不足。

为了解决这个问题,Cree与几家主要公司签署了长期供应协议,并于2019年5月宣布了未来。

在五年内投资10亿美元以扩大基板生产线。

此外,英飞凌收购了具有基板制造技术的Siltectra,ST收购了Norstel 55%的股份。

“随着基板产能的进一步扩大,缺陷密度的进一步降低以及生产效率的进一步提高,第三代半导体,尤其是SiC,必将在2021年爆发”。

新军能相信。

据信,随着SiC晶圆厂产量的进一步增加,它将吸引主要的国际公司加入竞争。

对于SiC器件,尤其是MOSFET的价格将进一步降低,这也为SiC器件获得更多的市场份额创造了条件。

Xinjuneng总裁周晓阳表示,越来越多的参与者将进入汽车SiC器件领域。

同时,随着行业的快速发展,整体市场布局也在迅速变化。

周小阳认为,与硅相比,SiC可以实现更高的结温,更高的频率和更高的耐压。

这将使电动汽车更有效地进行电驱动控制,增加续航里程,减少电池消耗,并降低整体功耗。

驱动系统的体积和重量;它可用于更快,更高容量的车载充电解决方案;由于碳化硅的优异性能以及其自身成本的不断降低(材料技术更加成熟),它将带来系统级的成本优势,并加速其在纯电市场中的应用。

基于此,碳化硅在未来具有巨大的增长机会。

尽管未来前景良好,但SiC芯片本身在场强,能隙,热导率,熔点和电子迁移率方面具有新特性,这对封装提出了新的要求和挑战。

如果要从设计到批量生产,过程的实现必须经历许多严峻的挑战。

据了解,新军能半导体主要致力于汽车级和工业级功率器件和模块的封装,测试和应用。

其工业级产品已进入包括汽车制造商在内的一些行业领导者的批量生产。