目前，MEMS是常用的设备，许多工厂专注于MEMS的生产。

通常，高质量MEMS产品的生产通常与出色的MEMS设计密不可分。

在本文中，为了增强大家对MEMS的理解，我将为大家介绍MEMS设计方法。

如果您对MEMS感兴趣，或者正在寻找MEMS设计方法，则不妨继续阅读。

鉴于MEMS工艺源自光刻微电子工艺，人们自然会考虑使用IC设计工具来为MEMS器件创建掩模。

但是，IC设计和MEMS设计之间存在根本的区别，从布局特征，验证或仿真类型到最重要的结构问题。

在MEMS设计中，物体尺寸的数量级差异可能导致常见错误。

显示屏上似乎连接了两个对象，但实际上它们可能被网格点隔开。

如果在导出磁带时未发现这种错误，则会造成严重的损失。

可以处理曲线和多边形的DRC可以避免这些错误。

当MEMS设计包含大量弯曲物体时，使用IC CAD工具可能会引起一些有趣的问题。

曲线对象必须单独构造并放置在比IC制造过程更精细的网格上，以确保机械“平滑度”。

此外，IC布局工具现在必须能够处理具有数千个点的多边形（它们是由离散的曲线对象生成的）。

诸如电磁激励器之类的设备需要可以绘制精确曲线的布局工具。

管理此类数据可能会降低绘图操作的速度。

处理曲线和多边形需要适当的绘图说明和精确的几何定位工具，以准确捕获中点，半径和角度。

在IC领域，中心点或到某个逻辑门的特定距离的精确定位可能不如MEMS设计那么重要。

例如，出于机械或惯性目的，MEMS设计人员可能需要将电阻器精确地放置在弯曲梁元件的中心。

此外，IC工具可能无法以参数方式构造复杂的曲线或对象，从而迫使设计人员输入详细的x和y坐标以绘制同一设备的近似版本。

低成本IC工具通常不提供算法到布局的生成功能，因此设计人员可能需要使用Matlab或Excel等程序来创建x和y坐标点，然后输入CAD工具。

因此，这些对象是“静态的”。

并且无法进行无缝编辑。

与成熟的IC制造领域不同，MEMS设计人员必须从很早的阶段就考虑器件的工艺和机械物理特性。

例如，在MEMS电磁致动器中，三维（3-D）线圈通常难以制造。

实际上，MEMS制造过程的二维（2-D）特性通常会限制机电设计的最佳优化。

因此，设计人员必须使用新颖的分层技术和固定的工艺折衷方案才能获得适当的磁场。

与制造密切相关的是工艺特征和工件（arTIfact）。

设计人员可以直接在CAD工具中对其进行一些更正。

MEMS在布局设计阶段准备掩模数据。

在L-Edit布局编辑器中，对复杂多边形（例如弧，圆和类似图形）的所有操作都可以在一个简单的步骤中完成。

在某些CAD工具中，这避免了一个个地复制，粘贴和缩放每个对象的耗时操作。

MEMS设计人员应特别注意那些较大的多边形，因为在对弯曲对象进行多边形化以满足GDSII要求时，生成的多边形通常具有大量点。

遮罩公司通常在一个多边形中只允许200个点。

L-Edit可以检测这些多边形，并在GDSII输出流上自动将它们分解为较小的多边形。

对于一家公司而言，MEMS工艺通常是其专有知识产权，并且在材料选择和层次顺序方面是独一无二的。

实际上，只有少数标准流程。

因此，这使布局验证非常困难，并且那些新兴的MEMS公司很少具有执行自动布局和原理图比较（LVS）检查的能力。

但是，可以使用定制的设计规则检查（DRC）工具来查找在MEMS设计中突然出现的简单布局和设计错误。

过去，低成本IC工具中的DRC功能只能处理45度和直角物体。

当前，在某些更好的工具中，DRC能够检查跨不同层的任何多边形对象之间的最小间距。

上面是“ MEMS”传感器。

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通过这篇文章，我希望夏娃