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和兴电子申请基于纳米晶合金的低损耗高频变压器专利,显著降低高频工况下磁芯损耗

2026年06月12日 13:38
 

国家知识产权局信息显示,浙江和兴电子有限公司申请一项名为“一种基于纳米晶合金的低损耗高频变压器”的专利,公开号CN121748117A,申请日期为2026年1月。

专利摘要显示,本发明公开了一种基于纳米晶合金的低损耗高频变压器,属于变压器技术领域,其包括安装板、冂形骨架、柱状磁芯、绕组及防护散热机构,柱状磁芯为三柱式复合结构,由纳米晶薄膜层与铁氧体薄片层交错叠压而成,外表面设有阶梯式气隙结构与绝缘隔离层;绕组引出端通过对称分布的插接件与外部电路连接。防护散热机构由含氮化硼填料的环氧层、导热环、散热鳍片、散热风扇及导流板组成。本发明结合纳米晶与铁氧体材料优势,搭配复合散热系统,显著降低高频工况下磁芯损耗,有效控制温升,提升绝缘性能与装配稳定性,实现低损耗、高效率、高稳定运行,适配新能源汽车、光伏储能等领域需求。

天眼查资料显示,浙江和兴电子有限公司,成立于2005年,位于湖州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析,浙江和兴电子有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目4次,财产线索方面有商标信息1条,专利信息56条,此外企业还拥有行政许可5个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。